近日，美光宣布已經(jīng)提前量產(chǎn)全球首款232層3D NAND芯片，這預(yù)示著3D NAND芯片正式進(jìn)入200+層時(shí)代。

圖源：美光

據(jù)悉，單顆232層3D NAND芯片可以提供高達(dá)1TB的巨大存儲(chǔ)容量，相比176層3D NAND芯片性能有極大提升。單位面積密度高出45%以上、數(shù)據(jù)處理速度快50%，如果使用全新的11.5mmx13.5mm封裝技術(shù)，就可以比上一代封裝的芯片體積再小28%。產(chǎn)品可以滿(mǎn)足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等以數(shù)據(jù)為中心的工作負(fù)載的低延遲和高吞吐量需求，非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫(kù)和實(shí)時(shí)分析以及云計(jì)算。

今年5月，美光表示232層NAND閃存的量產(chǎn)定于今年年底。然而，它比原計(jì)劃提前了兩個(gè)月發(fā)布了這款產(chǎn)品，美光期待該產(chǎn)品能成為人工智能和云計(jì)算領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品。

目前，三星、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等廠(chǎng)商也都在往200+層3D NAND閃存領(lǐng)域發(fā)力，競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。

據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，美光在2022年第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)占據(jù)10.9%的份額，位列第五。三星電子和SK海力士是領(lǐng)跑者，緊隨其后的是鎧俠和西部數(shù)據(jù)。