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消息:三星3nm良率僅10%-20%

來源:貼片電容 發(fā)布時(shí)間:2022-04-20 瀏覽:365

4月18日據(jù)PhoneArena報(bào)道,繼被曝出4nm良率僅35%并失去高通訂單后,有消息稱三星代工廠早期的3nm良率一直在10%至20%之間。


圖片

圖:傳三星失去高通訂單


報(bào)道稱,盡管三星最近表示其良率一直在提高,但《商業(yè)郵報(bào)》的一份報(bào)告稱,三星3nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)量仍遠(yuǎn)低于公司的目標(biāo)。


雖然三星用全環(huán)柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)首次推出其3nm節(jié)點(diǎn),使其在與臺(tái)積電(2nm節(jié)點(diǎn)采用GAA)競(jìng)爭(zhēng)上占得先機(jī),但三星在其早期3nm生產(chǎn)中的良率一直處于10%至20%的區(qū)間。


這不僅是三星需要改進(jìn)的極低良率,而且比在4nm 驍龍 8 Gen 1 中所經(jīng)歷的35%良率還要糟糕。


Wccftech表示,據(jù)消息人士稱,三星將從明年開始向客戶發(fā)貨的3nm GAA芯片組的第一個(gè)“性能版本”實(shí)際上可能是新的內(nèi)部研發(fā)的Exynos芯片。


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