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IRF7342TRPBF INFINEON/英飛凌 MOSFET - 陣列 2 個(gè) P 溝道(雙) 55V 3.4A 2W 表面貼裝型 8-SO

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IRF7342TRPBF INFINEON/英飛凌 MOSFET - 陣列 2 個(gè) P 溝道(雙) 55V 3.4A 2W 表面貼裝型 8-SO

類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
55V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.4A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
105 毫歐 @ 3.4A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
38nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
690pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
8-SO
基本產(chǎn)品編號(hào)
IRF7342

IR2101STRPBF.png

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