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IRLML6401TRPBF
制造商 | Infineon Technologies | |
制造商產(chǎn)品編號(hào) | IRLML6401TRPBF | |
描述 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 | |
詳細(xì)描述 | 表面貼裝型 P 通道 12 V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET? | |
包裝 | 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷帶 | |
Product Status | 在售 | |
FET 類(lèi)型 | P 通道 | |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 12 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 4.3A（Ta） | |
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） | 50 毫歐 @ 4.3A，4.5V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） | 15 nC @ 5 V | |
Vgs（最大值） | ±8V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） | 830 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝型 | |
供應(yīng)商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 | |
封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | |
基本產(chǎn)品編號(hào) | IRLML6401 |
