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IRF640NPBF |
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制造商 | Infineon Technologies | |
制造商產(chǎn)品編號 | IRF640NPBF | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB | |
詳細(xì)描述 | 通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET? | |
包裝 | 管件 | |
Product Status | 在售 | |
FET 類型 | N 通道 | |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 200 V | |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 18A（Tc） | |
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） | 150 毫歐 @ 11A，10V | |
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 67 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 1160 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安裝類型 | 通孔 | |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB | |
封裝/外殼 | TO-220-3 | |
基本產(chǎn)品編號 | IRF640 |
